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纳米电子元件要素量子点接触首次构建

德国维尔茨堡大学劳伦斯·莫伦康普教授领导的团队使用其开发的汞碲(HgTe)量子阱,初次成功构建了一个纳米电子元件基本要素——量子点接触(QPC)。这项成果宣布在最近出版的《天然·物理学》杂志上。
拓扑绝缘体资料性能独特,电流仅沿其表面或边际活动,而资料内部则具有绝缘性。莫伦康普教授于2007年初次经过试验证明了这种拓扑条件。他的团队成功开发了汞碲(HgTe)量子阱。使用这些新颖的资料,有望开发出新一代电子元件。
量子点接触是二维结构中的准一维紧缩,导电态仅坐落边际的HgTe拓扑量子阱中,并在量子点接触处空间组合。这种接近使得研究边界状况之间的潜在相互作用成为可能。
莫伦康普教授称:“只要在我们的光刻方法上取得突破,该试验才能成功。这使我们可以创立令人难以置信的小型结构,而不会损坏拓扑资料。”
研究人员经过复杂的制造过程,以特别准确和资料友爱的方法,处理了由于相互作用而导致异常电导行为的构造瓶颈,可以试验性地检测体系的拓扑特性。他们初次检测了根据异常电导行为体系的各种拓扑状况之间的各种交互作用,而且认为,这些拓扑量子点接触的特殊行为,是由于一维电子体系的特殊物理规律。
在空间维度上检测电子相互作用,可以发现一维与二维或三维不同,电子的运动是有序的,因为不可能逾越领先的电子。形象地说,在这种情况下,电子的行为就像链上的珍珠。
一维体系的这种特殊性质导致风趣的物理现象。物理学家特劳泽特尔说:“天然界中很少发作强库仑相互作用和自旋轨道耦合的相互作用。因而,我从这个体系基本特点可猜测未来的应用。”
近年来的理论猜测,拓扑量子点接触是许多应用程序的基本组成部分。一个特别突出的比如是马约拉纳费米子的可能完成,意大利物理学家埃托尔·马约拉纳早在1937年就猜测过。
这些猜测归因于与拓扑量子计算机相关的高应用潜力。不只要证明马约拉纳费米子,而且要可以同时控制和操作它们。维尔茨堡大学初次完成的拓扑量子点接触,为这方面发展供给了令人鼓舞的前景。

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